一種TVS二極管的制作方法

本實用新型涉及電子元器件技術領域，尤其涉及一種TVS二極管。

背景技術：

二極管的分類有很多種，其中一種是TVS二極管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)，該類二極管在反向應用條件下，當所加電壓在一定范圍內變化時能迅速由原來的高阻抗變到很低的導通值，把電壓籍位到預定電壓，從而有效地消除對敏感系統(tǒng)設備、元件的危害。TVS可用于防雷擊、防過電壓、抗干擾、吸收浪涌功率等，是一種理想的保護器件�，F(xiàn)有技術中，通常采用紙源兩次擴散單個結的生產(chǎn)工藝生產(chǎn)TVS二極管芯片，其存在問題是:使用單個擴散結生產(chǎn)TVS二極管芯片時，反向擊穿時，臺面的表面擊穿電壓低于體內擊穿電壓，造成表面擊穿先于體內擊穿，擊穿電流集中分布在臺面附近，臺面由硅與玻璃層組成，相互應力較大，造成反向擊穿漏電較大。因為漏電變大造成結溫升高，產(chǎn)品可靠性變差等問題。還有，由于二極管焊接到電路板上時，需要將引線彎折，這樣就極易引起引線內部出現(xiàn)斷裂、松動，使得產(chǎn)品失去電連接性能而成為廢品。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述背景技術中提到的問題，本實用新型提供一種TVS二極管。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

一種TVS二極管，包括殼體，所述殼體內設有芯片，且芯片由N型半導體和P型半導體組成，N型半導體和P型半導體的交界處形成PN結，所述N型半導體和P型半導體的外壁一側均焊接有合金層，且合金層的外壁一側通過金屬觸點焊接有引線，所述殼體內填充有保護膠，所述引線穿過殼體的內壁向外延伸，且引線的外壁套接有環(huán)形限位塊，殼體的內壁設有與環(huán)形限位塊對應的環(huán)形限位槽，所述殼體的下端外壁固定連接有兩個對稱的凹槽，且凹槽內通過彈簧固定連接有凸起，所述殼體的上端外壁內設有與卡塊對應的卡接槽。

優(yōu)選地，所述N型半導體和P型半導體交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀。

優(yōu)選地，所述保護膠為環(huán)氧樹脂制成。

優(yōu)選地，所述引線彎曲90度并穿過殼體的側壁向外延伸。

優(yōu)選地，所述殼體的外表面涂覆有阻燃層，且阻燃層包括水性聚氨酯阻燃涂料層。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：N型半導體和P型半導體交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀，通過增加PN結的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導體和P型半導體的外壁一側均通過冶金熔焊有合金層，使得結構更加穩(wěn)固，合金層的外壁一側通過金屬觸點連接有引線，由于引線彎曲90度并穿過殼體的側壁向外延伸，無需再次人工彎曲，減少引線的彎曲損耗，同時在引線的外壁套接有環(huán)形限位塊，能夠有效避免引線出現(xiàn)拉扯時而導致芯片的拉傷和斷裂，同時將卡塊插接至另一個二極管上的卡接槽內，實現(xiàn)多個二極管的串聯(lián)使用。本實用新型結構簡單，易操作，實現(xiàn)了多個二極管的串聯(lián)使用，同時有效避免了芯片的斷裂和損傷。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型A結構放大示意圖。

圖中：殼體1、保護膠2、N型半導體3、P型半導體4、合金層5、金屬觸點6、引線7、環(huán)形限位塊8、環(huán)形限位槽9、阻燃層10、卡接槽11、卡塊12、凸起13、凹槽14、彈簧15。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-2，一種TVS二極管，包括殼體1，殼體1內設有芯片，且芯片由N型半導體3和P型半導體4組成，N型半導體3和P型半導體4的交界處形成PN結，N型半導體3和P型半導體4的外壁一側均焊接有合金層5，且合金層5的外壁一側通過金屬觸點6焊接有引線7，殼體1內填充有保護膠2，引線7穿過殼體1的內壁向外延伸，且引線7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，殼體1的內壁設有與環(huán)形限位塊8對應的環(huán)形限位槽9，殼體1的下端外壁固定連接有兩個對稱的凹槽14，且凹槽14內通過彈簧15固定連接有凸起13，殼體1的上端外壁內設有與卡塊12對應的卡接槽11。

具體的，N型半導體3和P型半導體4交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀，通過增加PN結的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力。

具體的，保護膠2為環(huán)氧樹脂制成，能夠起到有效的保護作用。

具體的，引線7彎曲90度并穿過殼體1的側壁向外延伸，無需再次人工彎曲，減少引線7的彎曲損耗。

具體的，殼體1的外表面涂覆有阻燃層10，且阻燃層10包括水性聚氨酯阻燃涂料層，可以阻止二極管發(fā)生自燃現(xiàn)象，提高了二極管的安全性。

工作原理：本實用新型中，N型半導體3和P型半導體4交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀，通過增加PN結的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導體3和P型半導體4的外壁一側均通過冶金熔焊有合金層5，使得結構更加穩(wěn)固，合金層5的外壁一側通過金屬觸點6連接有引線7，由于引線7彎曲90度并穿過殼體1的側壁向外延伸，無需再次人工彎曲，減少引線7的彎曲損耗，同時在引線7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，能夠有效避免引線7出現(xiàn)拉扯時而導致芯片的拉傷和斷裂，同時將卡塊12插接至另一個二極管上的卡接槽11內，實現(xiàn)多個二極管的串聯(lián)使用。

以上，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據(jù)本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。

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